ON FDMS8090
MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)100V10A13 мОм @ 10 А, 10 В4 В @ 250 мкА
СравнитьFDMS8090
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
₽458.16
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies. The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
Features
PowerTrench® Series
Max rDS(on) = 13 m|? at VGS = 10 V, ID = 10 A
Max rDS(on) = 20 m|? at VGS = 6 V, ID = 8 A
Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switch node ringing
100% UIL tested
RoHS Compliant
Applications
DC-DC Merchant Power Supply
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS8018
onsemi
MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
FDMS7680
onsemi
MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
FDMS8025S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
FDMS8027S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
FDMS7700S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
FDMS8020
onsemi
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
FDMS8027S
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDMS8025S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
FDMS7680
onsemi
MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
FDMS8020
onsemi
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 10A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 13 мОм @ 10 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 27nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1800пФ @ 50В
Максимальная мощность: 2.2W
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-PowerWDFN
Поставщик Упаковка устройства: 8-MLP (5x6), Power56
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN