ON FDMS7680
N-канальный30 V14A (Ta), 28A (Tc)3 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta), 33 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS7680
MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
₽16.36
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Features
PowerTrench® SeriesBulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
30 V Drain to Source Voltage (Vdss)
14A (Ta), 28A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6.9mOhm @ 14A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
28 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
1850 pF @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.5W (Ta), 33W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS7670
onsemi
MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN
FDMS7672
onsemi
MOSFET N-CH 30V 19A/28A 8PQFN
FDMS7672AS
onsemi
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
FDMS7670AS
onsemi
MOSFET N-CH 30V 22A/42A 8PQFN
FDMS7620S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V POWER56
FDMS7678
onsemi
MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN
FDMS7670
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDMS7620S
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDMS7672
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 14A (Ta), 28A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 6,9 мОм @ 14 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 28 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1850 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 33 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6