ON FDMS7670AS
N-канальный30 V22A (Ta), 42A (Tc)3 В @ 1 мА2,5 Вт (Ta), 65 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS7670AS
MOSFET N-CH 30V 22A/42A 8PQFN
₽33.78
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Designed to minimise losses in power conversion, while maintaining excellent switching performanceHigh Performance Trench Technology for extremely low RDS(on)SyncFET™ benefits from an efficient Schottky body diodeApplications in Synchronous Rectification DC-DC Converter, Motor Drives, networking point of load Low Side Switch
Features
PowerTrench®, SyncFET™ SeriesMax rDS(on) = 3.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 21 A
Max rDS(on) = 3.2 mΩ at VGS = 7 V, ID = 19 A
Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
SyncFET Schottky Body Diode
MSL1 robust package design
100% UIL tested
RoHS Compliant
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS7660AS
onsemi
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
FDMS7670
onsemi
MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN
FDMS7660
onsemi
MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN
FDMS7658AS
onsemi
MOSFET N-CH 30V 29A/70A 8PQFN
FDMS7620S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V POWER56
FDMS7602S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
FDMS7670
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDMS7660
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDMS7620S
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®, SyncFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 22A (Ta), 42A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3 мОм @ 21 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 1 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 66 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 4225 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 65 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6