ON FDMS7658AS
N-канальный30 V29A (Ta), 70A (Tc)3 В @ 1 мА2,5 Вт (Ta), 89 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS7658AS
MOSFET N-CH 30V 29A/70A 8PQFN
₽29.61
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The FDMS7658AS has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Features
PowerTrench®, SyncFET™ SeriesMax rDS(on) = 1.9 m|? at VGS = 10 V, ID = 28 A
Max rDS(on) = 2.2 m|? at VGS = 7 V, ID = 26 A
Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
SyncFET Schottky Body Diode
MSL1 robust package design
100% UIL tested
RoHS Compliant
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS7650
onsemi
MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
FDMS7650DC
onsemi
MOSFET N-CH 30V 47A POWER56
FDMS5672
onsemi
MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
FDMS7620S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V POWER56
FDMS7608S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
FDMS7602S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
FDMS7608S
Fairchild Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
FDMS7620S
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®, SyncFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 29A (Ta), 70A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,9 мОм @ 28 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 1 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 109 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 7350 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 89 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP