ON FDMS5672
N-канальный60 V10,6 А (Ta), 22 А (Tc)4 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta), 78 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS5672
MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
₽209.02
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The FDMS5672 is a PowerTrench MOSFET designed for high-performance power switching applications. It is an N-channel MOSFET with a low on-resistance and is designed to handle high currents and voltages efficiently.
Switching applications in automotive, industrial, and consumer electronics
Features
UltraFET™ SeriesAt Vgs = 10V,=10.6A, Maxds(o n) = 11.5mQ.
At Vgs = 6 V, Id = 8A, Maxds(o n) = 16.5mQ.
Qg = 32nC at Vgs = 10VTYP Qg = 32nC at Vgs = 10VTYP Qg = 32nC at Vgs = 10V
'Low Miller Charge' is a term used to describe a situation in which
Efficie ncy at High Freque ncies Optimized
RoHS Complia nt is an acronym for "Restriction of Hazardous Substances" (RoHS).
Applications
DC - DC Conversion
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS3686S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDMS3668S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
FDMS3624S
onsemi
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN
FDMS3660S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
FDMS3669S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
FDMS3664S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
FDMS3669S
Fairchild Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/24A 8PQFN
FDMS3668S
Fairchild Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8PQFN
FDMS3624S
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UltraFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 10,6 А (Ta), 22 А (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 11,5 мОм @ 10,6 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 45 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2800 пФ @ 30 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 78 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-MLP (5x6), Power56
Упаковка / Кейс: 8-PowerWDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP