ON FDMS3669S
MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канальные (сдвоенные) асимметричные30V13A, 18A10 мОм @ 13 А, 10 В2,7 В @ 250 мкА
СравнитьFDMS3669S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
₽184.64
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Features
PowerTrench® SeriesMaximum rDS(on) at VGS = 10 V, ID = 18 A is 5 m.
Max rDS(on) is 5.2 m at 4.5 V and 17 A.
Shorter rise/fall times due to low inductance packing reduce switching losses.
The best architecture for lower circuit inductance and less switch node ringing is made possible by MOSFET integration.
Conforms to RoHS
Applications
Computing
Communications
Point of Load for All Purposes
Laptop VCORE
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS3602S
onsemi
MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
FDMS3668S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
FDMS3606AS
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
FDMS3624S
onsemi
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN
FDMS3660S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
FDMS3664S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
FDMS3668S
Fairchild Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8PQFN
FDMS3606AS
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDMS3624S
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDMS3602S
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 N-канальные (сдвоенные) асимметричные
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 13A, 18A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 10 мОм @ 13 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,7 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 24nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1605 пФ @ 15 В
Максимальная мощность: 1W
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
Поставщик Упаковка устройства: Power56
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC