ON FDMS86200DC
N-канальный150 V9.3A (Ta), 28A (Tc)4 В @ 250 мкА3,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS86200DC
MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
₽164.94
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Features
Dual Cool™, PowerTrench® Series? Technology for Shielded Gate MOSFETs
? DFN8 Package with Dual CoolTM Top Side Cooling
? VGS = 10 V, ID = 9.3 A, max rDS(on) = 17 m
? VGS = 6 V, ID = 7.8 A, max rDS(on) = 25 m
? Extremely Low rDS with High-Performance Technology (on)
? Completely UIL-tested
? Compliant with RoHS
Applications
? In DC DC Converters, the primary MOSFET is used.
? Synchronous Rectifier (Secondary)
? On/Off Switch
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS86104
onsemi
MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMS86101DC
onsemi
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
FDMS86152
onsemi
MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56
FDMS8558S
onsemi
MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN
FDMS86150
onsemi
MOSFET N CH 100V 16A POWER56
FDMS86152
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDMS86104
onsemi
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
FDMS8558S
onsemi
38A, 25V, 0.0015OHM, N-CHANNEL,
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Dual Cool™, PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 9.3A (Ta), 28A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 17 мОм @ 9,3 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 42 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2955 пФ @ 75 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET