ON FDMS86101DC
N-канальный100 V14,5A (Ta), 60A (Tc)4 В @ 250 мкА3,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS86101DC
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
₽28.83
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process thant has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Features
Dual Cool™, PowerTrench® SeriesHigh performance technology for extremely low rDS(on)
100% UIL Tested
RoHS Compliant
Shielded Gate MOSFET Technology
DUAL COOL Top Side Cooling PQFN package
Max rDS(on) = 7.5 m at VGS = 10 V, ID = 14.5 A
Max rDS(on) = 12 m at VGS = 6 V, ID = 11.5 A
Applications
Primary DC?DC MOSFET
Secondary Synchronous Rectifier
Load Switch
Analog Electronics
Audio Power Amplifiers
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS8320LDC
onsemi
MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
FDMS8025S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
FDMS8558S
onsemi
MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN
FDMS86101A
onsemi
MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
FDMS8350L
onsemi
MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56
FDMS8020
onsemi
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
FDMS8320LDC
Fairchild Semiconductor
N-CHANNEL DUAL COOLTM 56 POWER T
FDMS8350L
onsemi
FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC
FDMS8558S
onsemi
38A, 25V, 0.0015OHM, N-CHANNEL,
FDMS8025S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
FDMS8020
onsemi
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Dual Cool™, PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 14,5A (Ta), 60A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 7,5 мОм @ 14,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 44 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3135 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23