ON FDMS8350L
N-канальный40 V47A (Ta), 200A (Tc)3 В @ 250 мкА2,7 Вт (Ta), 113 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS8350L
MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56
₽421.59
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Features
PowerTrench® Series● MSL1 robust package design
● 100% UIL tested
● RoHS Compliant
● Max rDS(on) = 0.85 mΩ at VGS = 10 V, ID = 47 A
● Max rDS(on) = 1.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 38 A
● Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
Applications
● Primary DC-DC MOSFET
● Secondary Synchronous Rectifier
● Load Switch
● Inverter
● In Digital Circuit
● High Frequency Amplifier
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS8320L
onsemi
MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
FDMS8333L
onsemi
MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
FDMS8320LDC
onsemi
MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
FDMS8018
onsemi
MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
FDMS8025S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
FDMS8020
onsemi
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
FDMS8320LDC
Fairchild Semiconductor
N-CHANNEL DUAL COOLTM 56 POWER T
FDMS8025S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
FDMS8020
onsemi
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 47A (Ta), 200A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 0,85 мОм при 47 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 242 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 17500 пФ @ 20 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,7 Вт (Ta), 113 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3