ON FDMS8320L
N-канальный40 V36A (Ta), 100A (Tc)3 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS8320L
MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
₽233.49
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed ang body diode reverse recovery performance.
Features
PowerTrench® SeriesAdvanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
MSL1 robust package design
100% UIL tested
RoHS Compliant
Lead Free
Applications
OringFET / Load Switching
Synchronous Rectification
DC-DC Conversion
New Energy Vehicle
Photovoltaic Generation
Wind Power Generation
Smart Grid
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS8018
onsemi
MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
FDMS7680
onsemi
MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
FDMS8025S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
FDMS8027S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
FDMS8090
onsemi
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
FDMS8020
onsemi
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
FDMS8027S
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDMS8025S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
FDMS7680
onsemi
MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
FDMS8020
onsemi
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,1 мОм @ 32 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 170 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 11110 пФ @ 20 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET