ON FDMS8320LDC
N-канальный40 V44A (Ta), 130A (Tc)3 В @ 250 мкА3,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS8320LDC
MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
₽63.74
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed ang body diode reverse recovery performance.
Features
Dual Cool™, PowerTrench® SeriesMax rDS(on) = 1.1 mΩ at VGS = 10 V, ID = 44 A
Max rDS(on) = 1.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 37 A
Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
MSL1 robust package design
100% UIL tested
RoHS Compliant
Applications
Energy Generation & Distribution
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS8320L
onsemi
MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
FDMS8018
onsemi
MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
FDMS7680
onsemi
MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
FDMS8025S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
FDMS8090
onsemi
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
FDMS8020
onsemi
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
FDMS8025S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
FDMS7680
onsemi
MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
FDMS8020
onsemi
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Dual Cool™, PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,1 мОм @ 44 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 170 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 11635 пФ @ 20 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET