ON FDMS86500DC
N-канальный60 V29A (Ta), 108A (Tc)4,5 В @ 250 мкА3,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS86500DC
MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
₽58.06
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremelylow Junction-to-Ambient thermal resistance.
Features
Dual Cool™, PowerTrench® SeriesDual Cool? Top Side Cooling PQFN package
Max rDS(on) = 2.3 m|? at VGS(on) = 10 V, ID = 29 A
Max rDS(on) = 3.3 m|? at VGS(on) = 8 V, ID = 24 A
High-performance technology for extremely low RDS(on)
100% UIL Tested
RoHS Compliant
Applications
AC-DC Merchant Power Supply
Synchronous Rectifier for DC/DC Converters
Telecom Secondary Side Rectification
High-End Server/Workstation Vcore Low Side
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS86320
onsemi
MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
FDMS8622
onsemi
MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
FDMS86252
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
FDMS86250
onsemi
MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
FDMS86350
onsemi
MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
FDMS86200DC
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
FDMS86320
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Dual Cool™, PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 8 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 2,3 мОм @ 29 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 107 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 7680 пФ @ 30 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN