ON FDMS8888
N-канальный30 V13,5A (Ta), 21A (Tc)2,5 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS8888
MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
₽23.84
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The FDMS8888 has been designed to minimixe losses in power conversion application. The Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance.
Features
PowerTrench® SeriesBulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
30 V Drain to Source Voltage (Vdss)
13.5A (Ta), 21A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
9.5mOhm @ 13.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
33 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
1585 pF @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.5W (Ta), 42W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS8660S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN
FDMS8692
onsemi
MOSFET N-CH 30V 12A/28A 8PQFN
FDMS86550
onsemi
MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
FDMS8820
onsemi
MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
FDMS8690
onsemi
MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP
FDMS8670S
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDMS8670S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN
FDMS8692
onsemi
MOSFET N-CH 30V 12A/28A 8PQFN
FDMS8690
onsemi
MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP
FDMS8670S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 13,5A (Ta), 21A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 9,5 мОм @ 13,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 33 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1585 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3