ON FDN335N
N-канальный20 V1,7A (Ta)1,5 В @ 250 мкА500 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDN335N
MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
₽5.60
Обновление цены：2025-03-04Гарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
DescriptionThis N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge forsuperior switching performance.
Features• 1.7 A, 20 V. Rds(on)= 0.07 Ω @ Vgs= 4.5 V Rds(on)= 0.100 Ω @ Vgs= 2.5 V.• Low gate charge (3.5nC typical).• High performance trench technology for extremely low Rds(on)• High power and current handling capability.
Features
PowerTrench® Series1.7 A, 20 V
RDS(on) = 0.07 |@ VGS = 4.5 V
RDS(on) = 0.100 | @ VGS = 2.5 V
Low gate charge (3.5nC typical).
High-performance trench technology for highly low RDS(ON)
High power and current handling capability
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
DC/DC converter
Load Switch
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDN308P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
FDN327N
onsemi
MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS8820
onsemi
MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
FDN306P
onsemi
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
FDMS9600S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56
FDN308P
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDN327N
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDN306P
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 1,7A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 2,5 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 70 мОм @ 1,7 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 5 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 310 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 500 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-23-3
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3