ON FDP75N08
N-канальный75 V75A (Tc)4 В @ 250 мкА131 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFDP75N08
MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Нет технического описания
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The FDP7030L is MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 manufactured by FAIRCHILD. The FDP7030L is available in TO-220-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 30V 80A TO-220, N-Channel 30V 80A (Ta) 68W (Tc) Through Hole TO-220-3.
FDP7045L with circuit diagram manufactured by FAIRCHILD. The FDP7045L is available in TO-220 Package, is part of the IC Chips.
Features
UniFET™ Seriesthe avalanche energy rating (Eas) is 1738 mJ
based on its rated peak drain current 300A.
a 75V drain to source voltage (Vdss)
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
FDP75N08 applications of single MOSFETs transistors.
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDP5N50NZ
onsemi
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
FDP5N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
FDP61N20
onsemi
MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
FDP7030BL
onsemi
MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3
FDP7030BL
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FDP5N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
FDP6035L
Fairchild Semiconductor
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDP61N20
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UniFET™
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 75 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 75A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 11 мОм @ 37,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 104 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 4468 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 131 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET