ON FDPF18N50T
N-канальный500 V18A (Tc)5 В @ 250 мкА38,5 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFDPF18N50T
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
₽22.92
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
• RDS(on) = 265 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 9A • Low Gate Charge (Typ. 45 nC) • Low Crss (Typ. 25 pF) • 100% Avalanche Tested
Features
UniFET™ Series? Low Gate Charge (Typ. 45 nC)
? Low Crss (Typ. 25 pF)
? 100% Avalanche Tested
? RDS(on) = 220 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 9 A
? Boost avalanche energy strength and improve switching performance
Applications
? LCD/LED/PDP TV
? Lighting
? Uninterruptible Power Supply
? Passive Element
? Radio Frequency Applications
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDPF18N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
FDPF18N20FT
onsemi
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
FDPF12N50NZ
onsemi
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
FDPF12N50UT
onsemi
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
FDPF16N50
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDPF16N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 16A TO220F
FDPF12N50NZ
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDPF18N20FT
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDPF12N50UT
onsemi
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
FDPF16N50
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UniFET™
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 18A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 265 мОм @ 9А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 60 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2860 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 38,5 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220F-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET