ON FDPF7N60NZ
N-канальный600 V6,5A (Tc)5 В @ 250 мкА33 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFDPF7N60NZ
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
₽21.75
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
Features
Tube Package100% Avalanche Tested
Improved dv/dt Capability
ESD Improved Capability
RoHS Compliant
RDS(on) = 1.05 Ω (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 3.25 A
Low Gate Charge (Typ. 13 nC)
Low Crss (Typ. 7 pF)
Applications
Uninterruptible Power Supply
AC-DC Power Supply
LCD/ LED/ PDP TV
Lighting
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDPF5N50NZU
onsemi
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
FDPF7N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 7A TO220F
FDPF5N50FT
onsemi
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
FDPF5N50T
onsemi
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
FDPF770N15A
onsemi
MOSFET N-CH 150V 10A TO220F
FDPF5N50NZ
onsemi
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
FDPF5N50T
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
FDPF5N50NZ
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDPF5N50FT
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDPF7N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 7A TO220F
FDPF5N50NZU
onsemi
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
FDPF770N15A
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UniFET-II™
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 6,5A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,25 Ом @ 3,25 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 17 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 730 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 33 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220F-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23