ON FDR6674A
N-канальный30 V11,5A (Ta)2 В @ 250 мкА1,8 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDR6674A
MOSFET N-CH 30V 11.5A SUPERSOT8
₽45.80
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
FD-R60 with pin details, that includes FX-500 Series, they are designed to operate with a Reflective Sensing Method, Sensing Distance is shown on datasheet note for use in a 11.417" (290mm), that offers Connection Method features such as Cable, Cable Length is designed to work in 78.740" (2000.00mm).
The FDR6580 is MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8 manufactured by FSC. The FDR6580 is available in 8-SSOT, SuperSOT-8 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8, N-Channel 20V 11.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT?-8.
Features
PowerTrench® Series11.5A, 30V RDS(ON) = 9.5mΩ, @VGS = 4.5V
RDS(ON) = 8.5mΩ, @VGS = 10V
High-performance trench technology for extremely low RDS(ON)
High power and current handling capability in a smaller footprint than SO8
Drain-Source Voltage: 30v
Gate-Source Voltage: ±12v
Applications
Cellular phones
Laptop computers
Photovoltaic systems
Wind turbines
Shunt voltage regulator and the series voltage regulator
Synchronous rectifier
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDQ7236AS
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14-SOIC
FDPF7N50U
onsemi
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
FDPF7N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 7A TO220F
FDPF7N60NZ
onsemi
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
FDPF8N50NZ
onsemi
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
FDPF5N50UT
onsemi
MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
FDPF5N50UT
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDPF7N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 7A TO220F
FDPF7N50U
onsemi
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 11,5A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 9,5 мОм @ 10,5 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 46 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±12V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 5070 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,8 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SuperSOT™-8
Упаковка / Кейс: 8-LSOP (0,130", ширина 3,30 мм)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6