ON FDS6064N3
N-канальный20 V23A (Ta)1,5 В @ 250 мкА3 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDS6064N3
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
₽142.57
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
FDS5690_NL with pin details manufactured by FDS. The FDS5690_NL is available in SOP-8 Package, is part of the IC Chips.
FDS5E012 with circuit diagram manufactured by Fairchild. The FDS5E012 is available in UMAX8 Package, is part of the IC Chips.
Features
PowerTrench® Seriesa continuous drain current (ID) of 23A
a drain-to-source breakdown voltage of 20V voltage
the turn-off delay time is 153 ns
single MOSFETs transistor is 3.4mOhm
a threshold voltage of 600mV
a 20V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
FDS6064N3 applications of single MOSFETs transistors.
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
- Lighting, Server, Telecom and UPS.
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDS5670
onsemi
MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
FDS4935A
onsemi
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
FDS5690
onsemi
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
FDS5680
onsemi
MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
FDS4935A
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FDS5690
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDS5680
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDS5670
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 23A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 1,8 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 4 мОм @ 23 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 98 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 7191 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SO
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP