ON FDS6685
P-канал30 V8,8 А (Ta)3 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDS6685
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
₽44.18
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of an advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V).
Features
PowerTrench® Series-8.8 A, -30 V. RDS(ON) = 0.020 ?@ VGS = -10 V
RDS(ON) = 0.035 ?@ VGS = -4.5 V
Extended VGSS range (?à25V) for battery applications.
Low gate charge (19nC typical).
Fast switching speed.
High-performance trench technology for extremely low RDS(ON).
High power and current handling capability
Applications
Battery protection
Load switch
Motor drive
USB Type C High-end Smartphones & Tablet PCs
Point-of-Load Power Distribution in 5 V, 12 V, 15 V and 20 V systems
Enterprise Computing and Telecom Equipment
Multifunction Printers
Fan Motor Drives
Enterprise Copiers
Set-top Boxes
General-purpose, High-voltage Power-Rail Switching
PCIe/PCI Adapter Cards
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDS6680S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
FDS6682
onsemi
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
FDS6680A
onsemi
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
FDS6675A
onsemi
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDS6681Z
onsemi
MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
FDS6680S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
FDS6676S
Fairchild Semiconductor
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
FDS6675A
onsemi
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDS6682
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 8,8 А (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 20 мОм @ 8,8 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 24 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1604 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP