Свяжитесь с нами
pусский
FDS8813NZ

ON FDS8813NZ

N-канальный30 V18,5A (Ta)3 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
FDS8813NZ
MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
FDS8813NZ Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽16.92

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

This N–Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on–state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

Features

PowerTrench® Series


  • Max rDS(on) = 4.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18.5 A

  • Max rDS(on) = 6.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 16 A

  • HBM ESD protection level of 5.6kV typical (note 3)

  • High-performance trench technology for extremely low rDS(on)

  • High power and current handling capability

  • RoHS compliant



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Notebook Computers

  • Portable Battery Packs


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 18,5A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 4,5 мОм @ 18,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 76 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 4145 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z