ON FDS89161
MOSFET (оксид металла)2 N-канала (сдвоенные)100V2.7A105 мОм @ 2,7 А, 10 В4 В @ 250 мкА
СравнитьFDS89161
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
₽3.93
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
Features
PowerTrench® Series
Shielded Gate MOSFET Technology
Max rDS(on) = 105 mΩat VGS= 10 V, ID = 2.7 A
Max rDS(on) = 171 mΩ at VGS = 6 V, ID = 2.1 A
High performance trench technology for extremely low rDS(on)
High power and current handling capability in a widely used surface mount package
100% UIL Tested
RoHS Compliant
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
Synchronous Rectifier
Primary Switch for Bridge Topology
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDS8842NZ
onsemi
MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
FDS8882
onsemi
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
FDS8876
onsemi
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
FDS8874
onsemi
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
FDS8878
onsemi
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
FDS8870
onsemi
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
FDS8882
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FDS8878
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDS8874
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
FDS8876
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 2.7A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 105 мОм @ 2,7 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 4.1nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 210пФ @ 50В
Максимальная мощность: 1.6W
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC