ON FDS8962C
MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровняN- и P-каналы30V7A, 5A30 мОм @ 7А, 10В3 В @ 250 мкА
СравнитьFDS8962C
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
General Description These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state ressitance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Features
PowerTrench® Series■ Q1: N-Channel
7.0A, 30V RDS(on) = 0.030? @ VGS = 10V
RDS(on) = 0.044? @ VGS = 4.5V
■ Q2: P-Channel
-5A, -30V RDS(on) = 0.052? @ VGS = -10V
RDS(on) = 0.080? @ VGS = -4.5V
■ Fast switching speed
■ High power and handling capability in a widely used surface
mount package
Surface Mount Mounting Type
Applications
low-voltage and battery-powered applications
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDS8960C
onsemi
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
FDS8935
onsemi
MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
FDS8960C
onsemi
DUAL N & P-CHANNEL POWERTRENCH M
FDS8958B
onsemi
MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC
FDS89161
onsemi
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
FDS8958A
onsemi
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
FDS8936A
Fairchild Semiconductor
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDS8958A
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: N- и P-каналы
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 7A, 5A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 30 мОм @ 7А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 26nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 575 пФ @ 15 В
Максимальная мощность: 900 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W