ON FQPF9N50CF
N-канальный500 V9A (Tc)4 В @ 250 мкА44 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFQPF9N50CF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
₽28.16
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
Features
FRFET® SeriesLow gate charge
Low on-state resistance
Superior switching performance
High avalanche energy strength
Available in the TO-220F package
Applications
Switched-mode power supplies
Active power factor correction
Electronic lamp ballasts
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FQPF9N25C
onsemi
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
FQPF85N06
onsemi
MOSFET N-CH 60V 53A TO220F
FQPF7P06
onsemi
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F
FQPF9N25
onsemi
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
FQPF9N50C
onsemi
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
FQPF7P06
onsemi
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F
FQPF9N25
onsemi
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
FQPF9N50C
onsemi
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
FQPF9N25C
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: FRFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 9A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 850 мОм @ 4,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 35 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1030 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 44 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220F-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3