ON HUF76419S3ST-F085
N-канальный60 V29A (Tc)3 В @ 250 мкА100 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьHUF76419S3ST-F085
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Нет технического описания
₽32.63
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
HUF76419D with pin details manufactured by FAIRCHILD. The HUF76419D is available in TO-252 Package, is part of the FETs - Single.
HUF76419S with EDA / CAD Models manufactured by FAI. The HUF76419S is available in TO263 Package, is part of the FETs - Single.
Features
Tape & Reel (TR) Packagethe avalanche energy rating (Eas) is 121 mJ
a continuous drain current (ID) of 29A
a drain-to-source breakdown voltage of 60V voltage
the turn-off delay time is 25 ns
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
HUF76419S3ST-F085 applications of single MOSFETs transistors.
- LCD/LED TV
- Consumer Appliances
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
HUF75652G3
onsemi
MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
HUF76407D3ST
onsemi
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
HUF75639G3
onsemi
MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
HUF76419D3
onsemi
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
HUF75852G3
onsemi
MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
HUF75852G3
onsemi
MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
HUF76419D3
onsemi
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
HUF75639G3
onsemi
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
HUF76407D3ST
onsemi
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 29A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 35 мОм @ 29 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 28,5 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±16V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 870 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 100 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP