ON HUF76423P3
N-канальный60 V35A (Tc)3 В @ 250 мкА85 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьHUF76423P3
MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3
₽120.59
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
Features
UltraFET™ SeriesInnovative UltraFET? process
Low RDS (on)
Low on-resistance per silicon area
Available in the JEDEC TO-220AB package
Applications
Motor drivers
Relay drivers
Switching regulators
Switching converters
Low-voltage bus switches
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
HUF75652G3
onsemi
MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
HUF76407D3ST
onsemi
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
HUF75639G3
onsemi
MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
HUF76419D3
onsemi
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
HUF75852G3
onsemi
MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
HUF75852G3
onsemi
MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
HUF76419D3
onsemi
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
HUF75639G3
onsemi
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
HUF76407D3ST
onsemi
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UltraFET™
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 35A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 30 мОм @ 35 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 34 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±16V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1060 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 85 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3