Свяжитесь с нами
pусский
HUF76639P3

ON HUF76639P3

N-канальный100 V51A (Tc)3 В @ 250 мкАСквозное отверстие

Сравнить
onsemi
HUF76639P3
MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
HUF76639P3 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽9.93

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

HUF76633S3ST_F085 with pin details, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a 0.046296 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as TO-252-3, Technology is designed to work in Si, as well as the 1 Channel Number of Channels, the device can also be used as Single Configuration. In addition, the Transistor Type is 1 N-Channel, the device is offered in 183 W Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Fall Time is 6 ns, and Rise Time is 16 ns, and the Vgs Gate Source Voltage is 16 V, and Id Continuous Drain Current is 39 A, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 100 V, and Vgs th Gate Source Threshold Voltage is 1.6 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 28 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 46 ns, and Typical Turn On Delay Time is 8 ns, and the Qg Gate Charge is 56 nC.

HUF76639P with circuit diagram manufactured by fsc. The HUF76639P is available in TO220 Package, is part of the IC Chips.

Features

UltraFET™ Series


  • Peak Current vs Pulse Width Curve

  • UIS Rating Curve

  • Switching Time vs RGS Curves

  • Ultra Low On-Resistance

- rDS(ON) = 0.026?, VGS = 10V

- rDS(ON) = 0.027?, VGS = 5V

  • Simulation Models

- Temperature Compensated PSPICE? and SABER?

      Electrical Models

- Spice and SABER Thermal Impedance Models



Through Hole Mounting Type

Applications


  • Switch Mode Power Supplies (SMPS)

  • Power-Over-Ethernet (PoE)

  • Solar inverters

  • Automotive applications

  • Switch, buck and synchronous rectification

  • Uninterruptible Power Supplies (UPS)

  • Small motor control


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UltraFET™
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 51A (Tc)
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 26 мОм @ 51 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 86 нК при 10 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2400 пФ @ 25 В
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z