ON IRLS640A
N-канальный200 V9,8 А (Тс)2 В @ 250 мкА40 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьIRLS640A
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
₽65.96
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, ad withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters, switch mode power supplies, DC-AC converters for uninterrupted power supply and motor control.
Features
Tube PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
200 V Drain to Source Voltage (Vdss)
9.8A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
180mOhm @ 4.9A, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
56 nC @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
1705 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
40W (Tc) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
IRLS4030PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
IRLS3036PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRLS3036TRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRLS4030TRL7PP
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
IRLS3034TRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
IRLS4030TRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
IRLS3036PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRLS4030PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 9,8 А (Тс)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 5V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 180 мОм @ 4,9 А, 5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 56 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1705 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 40 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220F-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET