Infineon IRLS4030TRL7PP
N-канальный100 V190A (Tc)2,5 В @ 250 мкА370 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIRLS4030TRL7PP
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
₽201.29
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
HEXFET® Seriesthe avalanche energy rating (Eas) is 320 mJ
a continuous drain current (ID) of 190A
a drain-to-source breakdown voltage of 100V voltage
the turn-off delay time is 110 ns
a threshold voltage of 2.5V
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of Infineon Technologies
IRLS4030TRL7PP applications of single MOSFETs transistors.
- Consumer Appliances
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
IRLS4030PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
IRLS3036PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRLS3034TRL7PP
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IRLS3036TRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRLS3034TRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
IRLS3036PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRLS4030PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 190A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3,9 мОм при 110 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 140 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±16V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 11490 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 370 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK (7-выводной)
Упаковка / Кейс: TO-263-7, D²Pak (6 выводов + вкладка), TO-263CB
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO