Свяжитесь с нами
pусский
IRF9530NPBF

Infineon IRF9530NPBF

P-канал100 V14A (Tc)4 В @ 250 мкА79 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие

Сравнить
Infineon Technologies
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRF9530NPBF Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽11.46

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Features

HEXFET® Series


  • Drain to source voltage Vds is -100V

  • Gate to source voltage is ±20V

  • On resistance Rds(on) of 200mohm

  • Power dissipation Pd of 79W at 25°C

  • Continuous drain current Id of -14A at Vgs -10V and 25°C

  • Operating junction temperature range from -55°C to 175°C



Through Hole Mounting Type

Applications


  • DC motors

  • Inverters

  • SMPS

  • Lighting

  • Load switches 

  • Battery-powered applications


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 14A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 200 мОм @ 8,4 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 58 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 760 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 79 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220AB
Упаковка / Кейс: TO-220-3
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z