ON NDS9410A
N-канальный30 V7,3A (Ta)3 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNDS9410A
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC
₽3.74
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
General DescriptionThis N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
Features
Bulk Package7.3 A, 30 V.
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
High power and current handling capability in a widely used surface mount package.
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
NDS8961
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
NDS8410A
onsemi
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC
NDS8926
onsemi
MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO
NDS8947
onsemi
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
NDS8858H
onsemi
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
NDS8434
onsemi
MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOIC
NDS8961
onsemi
N-CHANNEL POWER MOSFET
NDS8858H
onsemi
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
NDS8947
onsemi
P-CHANNEL POWER MOSFET
NDS8410A
onsemi
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 7,3A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 28 мОм @ 7,3 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 22 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 830 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6