ON NTB18N06LT4G
N-канальный60 V15A (Tc)2 В @ 250 мкА48,4 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNTB18N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
₽50.72
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The NTB18N06L is MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK manufactured by ON. The NTB18N06L is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK, N-Channel 60V 15A (Tc) 48.4W (Tc) Surface Mount D2PAK.
The NTB18N06LT4 is MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK manufactured by ON. The NTB18N06LT4 is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK, N-Channel 60V 15A (Tc) 48.4W (Tc) Surface Mount D2PAK.
Features
Tape & Reel (TR) PackageNTB18N06LT4G N-channel MOSFET is based on an original, unique vertical structure. NTB18N06LT4G MOSFET results in a dramatic reduction in the on-resistance and ultra-low gate charges for applications that require high power density and efficiency. ON Semiconductor NTB18N06LT4G is utilized in Switching applications.
D2PAK Supplier Device Package
Applications
NTB18N06LT4G Features
Power Motor Controls
Bridge Circuits
Converters
Power Supplies
Pb-Free Packages are Available
NTB18N06LT4G Applications
Notebook PC
Synchronous Buck for Notebook V core and Server
Notebook Battery Pack
Load Switch
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 15A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 5V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 100 мОм @ 7,5 А, 5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 20 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 440 пФ при 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 48,4 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA