Свяжитесь с нами
pусский
NTHS2101PT1G

ON NTHS2101PT1G

P-канал8 V5.4A (Tj)1,5 В @ 250 мкА1,3 Вт (Ta)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
NTHS2101PT1G
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽8.34

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

NTHS1206N17N2203JR with pin details, that includes NTHS Series, they are designed to operate with a Tape & Reel (TR) Packaging, Package Case is shown on datasheet note for use in a 1206 (3216 Metric), it has an Operating Temperature range of -40°C ~ 125°C, Mounting Type is designed to work in Surface Mount, as well as the ±5% Resistance Tolerance, the device can also be used as 220k Resistance in Ohms 25°C. In addition, the B Value Tolerance is ±3%, the device is offered in 4064K B25 75, the device has a 4073K of B25 85.

The NTHS2101PT1 is MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET manufactured by ON. The NTHS2101PT1 is available in 8-SMD, Flat Lead Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET, P-Channel 8V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET?.

Features

MOSFET (Metal Oxide) Technology

Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Package

Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP?6

making it an Ideal Device for Applications where Board Space is at a

Premium

Low Profile (<1.1 mm) Allows it to Fit Easily into Extremely Thin

Environments such as Portable Electronics

Designed to Provide Low RDS(on) at Gate Voltage as Low as 1.8 V, the

Operating Voltage used in many Logic ICs in Portable Electronics

Simplifies Circuit Design since Additional Boost Circuits for Gate

Voltages are not Required

Operated at Standard Logic Level Gate Drive, Facilitating Future

Migration to Lower Levels using the same Basic Topology

Pb?Free Package is Available


ChipFET™ Supplier Device Package

Applications

Optimized for Battery and Load Management Applications in

Portable Equipment such as MP3 Players, Cell Phones, Digital

Cameras, Personal Digital Assistant and other Portable Applications

Charge Control in Battery Chargers

Buck and Boost Converters


Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 8 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5.4A (Tj)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 1,8 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 25 мОм @ 5,4 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 30 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2400 пФ @ 6,4 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,3 Вт (Ta)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: ChipFET™
Упаковка / Кейс: 8-SMD, плоский вывод
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z