ON NTLJF3117PT1G
P-канал20 V2,3A (Ta)1 В @ 250 мкА710 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNTLJF3117PT1G
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
₽12.68
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Power MOSFET and Schottky Diode-20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm,µCool™ Package
Features
µCool™ Seriesa continuous drain current (ID) of -3.3A
a drain-to-source breakdown voltage of -20V voltage
the turn-off delay time is 19.8 ns
based on its rated peak drain current 20A.
a 20V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
NTLJF3117PT1G applications of single MOSFETs transistors.
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: µCool™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 2,3A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 1,8 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 100 мОм @ 2A, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 6,2 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 531 пФ @ 10 В
Характеристика FET: Диод Шоттки (изолированный)
Максимальная рассеиваемая мощность: 710 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 6-WDFN (2x2)
Упаковка / Кейс: 6-WDFN Открытая колодка
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3