Свяжитесь с нами
pусский
NTZD3156CT5G

ON NTZD3156CT5G

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровняN- и P-каналы20V540 мА, 430 мА550 мОм @ 540 мА, 4,5 В1 В @ 250 мкА

Сравнить
onsemi
NTZD3156CT5G
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The NTZD3155CT5G is MOSFET N/P-CH 20V SOT-563, that includes Tape & Reel (TR) Alternate Packaging Packaging, they are designed to operate with a SOT-563, SOT-666 Package Case, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), that offers Mounting Type features such as Surface Mount, Supplier Device Package is designed to work in SOT-563, as well as the N and P-Channel FET Type, the device can also be used as 250mW Power Max. In addition, the Drain to Source Voltage Vdss is 20V, the device is offered in 150pF @ 16V Input Capacitance Ciss Vds, the device has a Logic Level Gate of FET Feature, and Current Continuous Drain Id 25°C is 540mA, 430mA, and the Rds On Max Id Vgs is 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, and Vgs th Max Id is 1V @ 250μA, and the Gate Charge Qg Vgs is 2.5nC @ 4.5V.

The NTZD3156CT2G is MOSFET N/P-CH 20V SOT-563, that includes 540mA, 430mA Current Continuous Drain Id 25°C, they are designed to operate with a 20V Drain to Source Voltage Vdss, FET Feature is shown on datasheet note for use in a Logic Level Gate, that offers FET Type features such as N and P-Channel, Gate Charge Qg Vgs is designed to work in 2.5nC @ 4.5V, as well as the 72pF @ 16V Input Capacitance Ciss Vds, the device can also be used as Surface Mount Mounting Type, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), the device is offered in SOT-563, SOT-666 Package Case, the device has a Tape & Reel (TR) of Packaging, and Power Max is 250mW, and the Rds On Max Id Vgs is 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, and Supplier Device Package is SOT-563, and the Vgs th Max Id is 1V @ 250μA.

Features

Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
20V Drain to Source Voltage (Vdss)
540mA, 430mA Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
550mOhm @ 540mA, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
2.5nC @ 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72pF @ 16V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: N- и P-каналы
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 540 мА, 430 мА
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 550 мОм @ 540 мА, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 2,5 нК при 4,5 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 72 пФ @ 16 В
Максимальная мощность: 250 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: SOT-563, SOT-666
Поставщик Упаковка устройства: SOT-563
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z