ON SBAT54T1G
Шоттки30 V200 мА
СравнитьSBAT54T1G
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
₽3.19
Обновление цены：2025-03-16Гарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The SBAT54CWT1G is Schottky Diodes & Rectifiers SS DUAL COMM CATH, that includes BAT54CW Series, they are designed to operate with a Reel Packaging, Technology is shown on datasheet note for use in a Si, that offers Pd Power Dissipation features such as 200 mW, it has an Maximum Operating Temperature range of + 125 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, the device can also be used as 800 mV Vf Forward Voltage. In addition, the Ir Reverse Current is 2 uA, the device is offered in 200 mA If Forward Current, the device has a 30 V of Vrrm Repetitive Reverse Voltage, and Ifsm Forward Surge Current is 600 mA, and the trr Reverse Recovery time is 5 ns.
The SBAT54CTT1G is Schottky Diodes & Rectifiers SC-75 DUAL COMMON CATHO, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a BAT54CT Series.
Features
Tape & Reel (TR) Packagean average rectified current of 200mA volts
the least amount of 400mW heat (energy loss)
0.2A is the maximum value
the peak reverse is 500nA
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
SBAT54T1G applications of single-phase diode rectifier.
- DC motor control and drives
- Battery chargers
- Welders
- Power converters
- Reverse Polarity Protection
- Ultra High-Speed Switching
- Freewheeling
- Polarity Protection Diode
- Recirculating Diode
- Switching Diode
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPB64N25S320ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IRL60B216
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: Шоттки
Максимальное обратное напряжение постоянного тока: 30 V
Средний выпрямленный ток (Io): 200 мА
Максимальное прямое напряжение при прямом токе: 800 мВ при 100 мА
Скорость: Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость
Время обратного восстановления (trr): 5 нс
Ток - обратная утечка @ Vr: 2 мкА при 25 В
Емкость при Vr, F: 10пФ @ 1В, 1МГц
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: SOD-123
Поставщик Упаковка устройства: SOD-123
Рабочая температура стыка: -55°C ~ 125°C
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
S310FA
onsemi
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123FA
MURS120T3G
onsemi
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
MBRS360T3G
onsemi
DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
MBRM140T1G
onsemi
DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE
MBRS340T3G
onsemi
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
MBRS3100T3G
onsemi
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC
MBR0530T1G
onsemi
DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123
MURS260T3G
onsemi
DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
MBRS540T3G
onsemi
DIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC
SS16T3G
onsemi
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA