Infineon IPB017N10N5ATMA1
N-канальный100 V180A (Tc)3,8 В @ 279 мкА375 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
₽277.00
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET IPB017N10N5ATMA1 from Infineon is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.
Features
OptiMOS™ SeriesIdeal for high-frequency switching and sync. rec.
Excellent gate charge xRDS (on)product(FOM)
Very low on-resistance RDS(on)
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant
Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FCP850N80Z
onsemi
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
FCH041N65EFL4
onsemi
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
UFS180JE3/TR13
Microchip Technology
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA
FCP850N80Z
onsemi
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
FCH041N65EFL4
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
IPB64N25S320ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: OptiMOS™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 180A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,7 мОм @ 100 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,8 В @ 279 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 210 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 15600 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 375 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-TO263-7
Упаковка / Кейс: TO-263-7, D²Pak (6 выводов + накладка)
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO