Свяжитесь с нами
pусский
SMUN5311DW1T1G

ON SMUN5311DW1T1G

100 мА10 кОм

Сравнить
onsemi
SMUN5311DW1T1G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽4.91

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The SMUN5237DW1T1G is TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363, that includes MUN5237DW1 Series, they are designed to operate with a Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging, Package Case is shown on datasheet note for use in a 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, that offers Mounting Type features such as Surface Mount, Supplier Device Package is designed to work in SC-88/SC70-6/SOT-363, as well as the 187mW Power Max, the device can also be used as 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Transistor Type. In addition, the Current Collector Ic Max is 100mA, the device is offered in 50V Voltage Collector Emitter Breakdown Max, the device has a 47k of Resistor Base R1 Ohms, and Resistor Emitter Base R2 Ohms is 22k, and the DC Current Gain hFE Min Ic Vce is 80 @ 5mA, 10V, and Vce Saturation Max Ib Ic is 250mV @ 5mA, 10mA, and the Current Collector Cutoff Max is 500nA.

The SMUN5235T1G is Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a MUN5235 Series.

Features

Tape & Reel (TR) Package
100mA Current - Collector (Ic) (Max)
50V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
10kOhms Resistor - Base (R1)
10kOhms Resistor - Emitter Base (R2)
35 @ 5mA, 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250mV @ 300µA, 10mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500nA Current - Collector Cutoff (Max)
250mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 100 мА
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 50V
Базовый резистор (R1): 10 кОм
Базовый резистор эмиттера (R2): 10 кОм
Усиление постоянного тока (hFE) Минимум при Ic, Vce: 35 @ 5 мА, 10 В
Максимальное напряжение насыщения коллектора и эмиттера при токе базы и токе коллектора: 250 мВ при 300 мкА, 10 мА
Ток - отключение коллектора (макс.): 500 нА
Максимальная мощность: 250 мВт
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 6-ЦСОП, SC-88, SOT-363
Поставщик Упаковка устройства: SC-88/SC70-6/SOT-363
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z