Номер детали:
Производитель
- Cypress Semiconductor Corp
- Freescale Semiconductor
- Infineon Technologies
- NXP Semiconductors
- NXP USA Inc.
- onsemi
- Renesas Electronics America Inc.
Модельный ряд
- *
- -
- EMD
- HD1
- Автомобильная промышленность, AEC-Q101
- ЭМП
Пакет
- -
- Лента
- Лента и катушка (TR)
- Масса
- Насыпной
- Разрезанная лента (CT)
Статус части
- Активный
- Не для новых разработок
- Последняя покупка
- Прекращено в
- Снято с производства в
- Устаревший
Тип транзистора
- -
- 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
- 1 NPN с предварительным соединением, 1 PNP
- 1 NPN, 1 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)
- 1 NPN, 1 PNP - с предварительным возбуждением (соединение база-коллектор)
- 1 NPN, 1 PNP - с предварительным соединением
- 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной)
- 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
- 2 NPN - предварительно соединенные (сдвоенные)
- 2 NPN - с предварительным соединением
- 2 NPN, 1 PNP - с предварительным соединением
- 2 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)
- 2 PNP Pre-Biased (Dual)
- 2 PNP — с предварительным смещением (двойной)
Коллекторный ток (Ic) (макс.)
- -
- 100 мА
- 100 мА, 200 мА
- 100 мА, 3 А
- 100 мА, 500 мА
- 100 мА, 700 мА
- 150 мА
- 1A
- 200 мА
- 500 мА
- 600 мА
- 70 мА
- 70 мА, 100 мА
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера
- -
- 15V
- 50 В, 12 В
- 50 В, 15 В
- 50 В, 20 В
- 50 В, 40 В
- 50 В, 60 В
- 50 В, 65 В
- 50V
- 50В
- 60V
Базовый резистор (R1)
- -
- 1 кОм
- 10 кОм
- 100 кОм
- 13 кОм, 130 Ом
- 175 Ом, 10 кОм
- 2,2 кОм
- 2,2 кОм, 47 кОм
- 22 кОм
- 4,7 кОм
- 4,7 кОм, 10 кОм
- 4,7 кОм, 22 кОм
- 4,7 кОм, 47 кОм
- 47 кОм
- 47 кОм, 10 кОм
- 47 кОм, 2,2 кОм
- 47 кОм, 4,7 кОм
Базовый резистор эмиттера (R2)
- -
- 1 кОм
- 10 кОм
- 10 кОм, 47 кОм
- 100 кОм
- 175 Ом, 10 кОм
- 2,2 кОм
- 22 кОм
- 4,7 кОм
- 4,7 кОм, 10 кОм
- 47 кОм
- 47 кОм, 10 кОм
- 47 кОм, 47 кОм
Усиление постоянного тока (hFE) Минимум при Ic, Vce
- -
- 100 @ 1 мА, 5 В
- 100 @ 1 мА, 5 В / 68 @ 100 мА, 5 В
- 100 @ 10 мА, 5 В
- 100 @ 5 мА, 5 В
- 100 @ 50 мА, 5 В
- 120 @ 5 мА, 5 В
- 15 @ 5 мА, 10 В
- 160 @ 5 мА, 10 В
- 160 при 5 мА, 10 В
- 20 @ 5 мА, 10 В
- 200 @ 1 мА, 5 В
- 200 @ 1A, 2V
- 3 @ 5 мА, 10 В
- 30 @ 10 мА, 5 В
- 30 @ 10 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В
- 30 @ 10 мА, 5 В / 150 @ 2А, 2 В
- 30 @ 20 мА, 5 В
- 30 @ 20 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В
- 30 @ 20мА, 5В / 150 @ 2А, 2В
- 30 @ 5 мА, 5 В
- 30 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 100 мА. 2V
- 30 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 2 А, 2 В
- 30 @ 5 мА, 5 В / 200 @ 10 мА, 2 В
- 30 @ 5 мА, 5 В / 210 @ 2 мА, 10 В
- 35 @ 5 мА, 10 В
- 35 @ 5 мА, 10 В / 15 @ 5 мА, 10 В
- 35 @ 5 мА, 10 В / 200 @ 2 мА, 5 В
- 35 @ 5 мА, 10 В / 220 @ 2 мА, 5 В
- 50 @ 5 мА, 5 В
- 60 @ 5 мА, 10 В
- 60 @ 5 мА, 5 В
- 60 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В
- 60 @ 5 мА, 5 В / 300 @ 100 мА, 5 В
- 70 @ 5 мА, 5 В
- 70 @ 50 мА, 5 В
- 8 @ 5 мА, 10 В
- 80 @ 5 мА, 1 В
- 80 @ 5 мА, 10 В
- 80 @ 5 мА, 10 В / 100 @ 1 мА, 10 В
- 80 @ 5 мА, 10 В / 120 @ 1 мА, 6 В
- 80 @ 5 мА, 10 В / 120 @ 5 мА, 10 В
- 80 @ 5 мА, 10 В / 20 @ 5 мА, 10 В
- 80 @ 5 мА, 10 В / 220 @ 2 мА, 5 В
- 80 @ 5 мА, 10 В / 270 @ 10 мА, 2 В
- 80 @ 5 мА, 5 В
- 80 @ 5 мА, 5 В / 100 @ 10 мА, 5 В
- 80 @ 5 мА, 5 В / 120 @ 1 мА, 6 В
- 80 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 100 мА, 2 В
- 80 @ 5 мА, 5 В / 150 @ 500 мА, 5 В
- 80 при 5 мА, 10 В
- 80 при 5 мА, 10 В / 20 при 5 мА, 10 В
Максимальное напряжение насыщения коллектора и эмиттера при токе базы и токе коллектора
- -
- 100 мВ при 250 мкА, 5 мА
- 150 мВ @ 500 мкА, 10 мА / 200 мВ @ 5 мА, 50 мА
- 150 мВ при 500 мкА, 10 мА
- 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 100 мВ при 250 мкА, 5 мА
- 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 250 мВ при 10 мА, 100 мА
- 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 250 мВ при 50 мА, 500 мА
- 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 310 мВ при 100 мА, 1 А
- 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 340 мВ при 100 мА, 1 А
- 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 350 мВ при 50 мА, 500 мА
- 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 355 мВ при 300 мА, 3 А
- 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 250 мВ @ 10 мА, 200 мА
- 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 400 мВ @ 5 мА, 50 мА
- 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 500 мВ @ 5 мА, 50 мА
- 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 600 мВ @ 5 мА, 100 мА
- 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА / 650 мВ @ 5 мА, 100 мА
- 250 мВ @ 5 мА, 10 мА / 500 мВ @ 5 мА, 50 мА
- 250 мВ при 1 мА, 10 мА
- 250 мВ при 1 мА, 10 мА / 250 мВ при 300 мкА, 10 мА
- 250 мВ при 300 мкА, 10 мА
- 250 мВ при 300 мкА, 10 мА / 250 мВ при 1 мА, 10 мА
- 250 мВ при 300 мкА, 10 мА / 300 мВ при 500 мкА, 10 мА
- 250 мВ при 5 мА, 10 мА
- 300 мВ при 1 мА, 10 мА
- 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА
- 300 мВ при 500 мкА, 10 мА
- 80 мВ при 2,5 мА, 50 мА
Варианты складирования
СМИ
Продукты - Запись(s)
MUN5311DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
MUN5135DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
MUN5214DW1T1G
onsemi
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
MUN5211DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
MUN5312DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
MUN5313DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
MUN5335DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
NSBC114YPDXV6T1G
onsemi
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
SMUN5211DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
MUN5213DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
MUN5212DW1T1G
onsemi
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
MUN5311DW1T2G
onsemi
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
MUN5114DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
MUN5330DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
MUN5215DW1T1G
onsemi
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
MUN5133DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
MUN5336DW1T1G
onsemi
TRANS NPN/PNP BJT SC70-6
MUN5334DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
NSBC114YPDP6T5G
onsemi
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
SMUN5311DW1T3G
onsemi
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
SMUN5335DW1T2G
onsemi
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
NSVMUN5212DW1T1G
onsemi
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
SMUN5311DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
SMUN5213DW1T1G
onsemi
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
NSBC123JPDXV6T1G
onsemi
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563