Свяжитесь с нами
pусский
NSVMUN5212DW1T1G

ON NSVMUN5212DW1T1G

100 мА22 кОм

Сравнить
onsemi
NSVMUN5212DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽32.55

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

NSVMUN5137DW1T1G with pin details, that includes MUN5137DW1 Series, they are designed to operate with a Tape & Reel (TR) Packaging, Package Case is shown on datasheet note for use in a 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, that offers Mounting Type features such as Surface Mount, Supplier Device Package is designed to work in SC-88/SC70-6/SOT-363, as well as the 250mW Power Max, the device can also be used as 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Transistor Type. In addition, the Current Collector Ic Max is 100mA, the device is offered in 50V Voltage Collector Emitter Breakdown Max, the device has a 47k of Resistor Base R1 Ohms, and Resistor Emitter Base R2 Ohms is 22k, and the DC Current Gain hFE Min Ic Vce is 80 @ 5mA, 10V, and Vce Saturation Max Ib Ic is 250mV @ 300μA, 10mA, and the Current Collector Cutoff Max is 500nA.

NSVMUN5211DW1T3G with circuit diagram, that includes 500nA Current Collector Cutoff Max, they are designed to operate with a 100mA Current Collector Ic Max, DC Current Gain hFE Min Ic Vce is shown on datasheet note for use in a 35 @ 5mA, 10V, that offers Mounting Type features such as Surface Mount, Package Case is designed to work in 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, as well as the Tape & Reel (TR) Packaging, the device can also be used as 250mW Power Max. In addition, the Resistor Base R1 Ohms is 10k, the device is offered in 10k Resistor Emitter Base R2 Ohms, the device has a SC-88/SC70-6/SOT-363 of Supplier Device Package, and Transistor Type is 2 NPN - Pre-Biased (Dual), and the Vce Saturation Max Ib Ic is 250mV @ 300μA, 10mA, and Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 50V.

Features

Tape & Reel (TR) Package
100mA Current - Collector (Ic) (Max)
50V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
22kOhms Resistor - Base (R1)
22kOhms Resistor - Emitter Base (R2)
60 @ 5mA, 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250mV @ 300µA, 10mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500nA Current - Collector Cutoff (Max)
250mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип транзистора: 2 NPN - предварительно соединенные (сдвоенные)
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 100 мА
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 50V
Базовый резистор (R1): 22 кОм
Базовый резистор эмиттера (R2): 22 кОм
Усиление постоянного тока (hFE) Минимум при Ic, Vce: 60 @ 5 мА, 10 В
Максимальное напряжение насыщения коллектора и эмиттера при токе базы и токе коллектора: 250 мВ при 300 мкА, 10 мА
Ток - отключение коллектора (макс.): 500 нА
Максимальная мощность: 250 мВт
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 6-ЦСОП, SC-88, SOT-363
Поставщик Упаковка устройства: SC-88/SC70-6/SOT-363
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z