ST SCT20N120
N-канальный1200 V20A (Tc)3,5 В @ 1 мА175 Вт (Тс)-55°C ~ 200°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSCT20N120
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
₽928.47
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
STMicroelectronics SCTx0N120 Silicon carbide Power MOSFETs are produced using advanced and innovative wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. Outstanding SiC material thermal properties and the proprietary HiP247package allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the devices perfectly suitable for high-efficiency and high-power density applications.
Features
Tube Packagea continuous drain current (ID) of 20A
a drain-to-source breakdown voltage of 1.2kV voltage
the turn-off delay time is 27 ns
a 1200V drain to source voltage (Vdss)
HiP247™ Supplier Device Package
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
SCT20N120 applications of single MOSFETs transistors.
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: SiCFET (карбид кремния)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 20A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 20V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 290 мОм при 10 А, 20 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,5 В @ 1 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 45 нК при 20 В
Максимальное напряжение источника затвора: +25 В, -10 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 650 пФ @ 400 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 175 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: HiP247™
Упаковка / Кейс: TO-247-3
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223