ST STW70N60M2
N-канальный600 V68A (Tc)4 В @ 250 мкА450 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSTW70N60M2
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
₽128.37
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
Features
MDmesh™ II Plus SeriesTube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
600 V Drain to Source Voltage (Vdss)
68A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
40mOhm @ 34A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
118 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±25V Vgs (Max)
5200 pF @ 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
450W (Tc) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type
Applications
Zener-protected
100% avalanche tested
Excellent output capacitance profile
Low gate charge
STW70N60M2 Applications
Reverse Polarity Switch
DC/DC Conversion
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
Telecom and Industrial Use
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: MDmesh™ II Plus
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 68A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 40 мОм @ 34 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 118 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 5200 пФ @ 100 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 450 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: ТО-247
Упаковка / Кейс: TO-247-3
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223