ST STB21NK50Z
N-канальный500 V17A (Tc)4,5 В @ 100 мкА190 Вт (Тс)150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTB21NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
₽66.90
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This device is an N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
500 V Drain to Source Voltage (Vdss)
17A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
270mOhm @ 8.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5V @ 100µA Vgs(th) (Max) @ Id
119 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±30V Vgs (Max)
2600 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
190W (Tc) Power Dissipation (Max)
150°C (TJ) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
D2PAK Supplier Device Package
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SuperMESH™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 17A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 270 мОм @ 8,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 100 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 119 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2600 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 190 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3