ST STB25NM60N
N-канальный600 V21A (Tc)4 В @ 250 мкА160 Вт (Тс)150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTB25NM60N
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
₽58.20
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
STB25NM50-1 with pin details manufactured by ST. The STB25NM50-1 is available in TO-262 Package, is part of the IC Chips.
The STB25NM50N-1 is MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK manufactured by ST. The STB25NM50N-1 is available in TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK, N-Channel 500V 22A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK.
Features
MDmesh™ II Series100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Drain-source voltage (VGS = 0): 500v
Gate- source voltage: ?à25 V
Applications
Rotary Switch
DIP Switch
Limit Switch
Reed Switch
Rocker Switch
Toggle Switch
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STB21NM50N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
STB21NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
STB22NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
STB23NM50N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
STB24N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
STB21N90K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: MDmesh™ II
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 21A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 160 мОм @ 10,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 84 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2400 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 160 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247