ST STB50NF25
N-канальный250 V45A (Tc)4 В @ 250 мкА160 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTB50NF25
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
₽26.76
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The STB50NE10 is MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK manufactured by ST. The STB50NE10 is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK.
STB50NF10 with circuit diagram manufactured by ST. The STB50NF10 is available in TO-263 Package, is part of the IC Chips.
Features
STripFET™ SeriesLow RDS (on)
Low on-resistance
Low gate charge
Available in D2PAK package
Applications
Switching applications
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STB42N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
STB40NS15T4
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
STB50N25M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
STB4NK60ZT4
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
STB46NF30
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
STB45N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: STripFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 250 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 45A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 69 мОм @ 22 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 68,2 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2670 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 160 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK