ST STB60NF06T4
N-канальный60 V60A (Tc)4 В @ 250 мкА110 Вт (Тс)-65°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTB60NF06T4
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
₽128.42
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for Telecom and Computer application. It is also intended for any application with low gate charge drive requirements.
Features
STripFET™ II Seriesa continuous drain current (ID) of 60A
a drain-to-source breakdown voltage of 60V voltage
the turn-off delay time is 43 ns
based on its rated peak drain current 240A.
a threshold voltage of 3V
D2PAK Supplier Device Package
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STB60NF06T4 applications of single MOSFETs transistors.
- Consumer Appliances
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: STripFET™ II
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 60A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 16 мОм @ 30 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 66 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1810 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 110 Вт (Тс)
Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3