Свяжитесь с нами
pусский
STB7NK80ZT4

ST STB7NK80ZT4

N-канальный800 V5,2A (Tc)4,5 В @ 100 мкА125 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
STMicroelectronics
STB7NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
STB7NK80ZT4 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽59.61

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

STB7NK40Z with pin details manufactured by ST. The STB7NK40Z is available in SOT-263 Package, is part of the IC Chips.

The STB7NK80Z-1 is "MOSFET N-Ch manufactured by ST. The STB7NK80Z-1 is available in I2PAK Package, is part of the Transistors - FETs, MOSFETs - Single, , and with support for "MOSFET N-Ch, N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK, Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube, MOSFET N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A.

Features

SuperMESH™ Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
800 V Drain to Source Voltage (Vdss)
5.2A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8Ohm @ 2.6A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5V @ 100µA Vgs(th) (Max) @ Id
56 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±30V Vgs (Max)
1138 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
125W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
D2PAK Supplier Device Package
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: SuperMESH™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5,2A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,8 Ом @ 2,6 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 100 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 56 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1138 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z