ST STB80NF55-08T4
N-канальный55 V80A (Tc)4 В @ 250 мкА300 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTB80NF55-08T4
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
₽315.69
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The STB80NF55-06T4 is MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK, that includes STripFET? II Series, they are designed to operate with a Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.139332 oz, that offers Mounting Style features such as SMD/SMT, Package Case is designed to work in TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, as well as the Si Technology, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 175°C (TJ). In addition, the Mounting Type is Surface Mount, the device is offered in 1 Channel Number of Channels, the device has a D2PAK of Supplier Device Package, and Configuration is Single, and the FET Type is MOSFET N-Channel, Metal Oxide, and Power Max is 300W, and the Transistor Type is 1 N-Channel, and Drain to Source Voltage Vdss is 55V, and the Input Capacitance Ciss Vds is 4400pF @ 25V, and FET Feature is Standard, and the Current Continuous Drain Id 25°C is 80A (Tc), and Rds On Max Id Vgs is 6.5 mOhm @ 40A, 10V, and the Vgs th Max Id is 4V @ 250μA, and Gate Charge Qg Vgs is 189nC @ 10V, and the Pd Power Dissipation is 300 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Fall Time is 65 ns, and the Rise Time is 155 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 20 V, and the Id Continuous Drain Current is 80 A, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 55 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 6.5 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 125 ns, and Typical Turn On Delay Time is 27 ns, and the Forward Transconductance Min is 150 S, and Channel Mode is Enhancement.
STB80NF55-06T with circuit diagram manufactured by ST. The STB80NF55-06T is available in TO-263 Package, is part of the FETs - Single.
Features
STripFET™ Seriesa continuous drain current (ID) of 80A
a drain-to-source breakdown voltage of 55V voltage
the turn-off delay time is 75 ns
a threshold voltage of 3V
D2PAK Supplier Device Package
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STB80NF55-08T4 applications of single MOSFETs transistors.
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: STripFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 80A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 8 мОм @ 40 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 155 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3850 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB