Свяжитесь с нами
pусский
STD17NF03LT4

ST STD17NF03LT4

N-канальный30 V17A (Tc)2,2 В @ 250 мкА30 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
STMicroelectronics
STD17NF03LT4
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽13.06

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The STD17NF03L-1 is MOSFET N-CH 30V 17A IPAK, that includes STripFET? II Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Package Case is shown on datasheet note for use in a TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type is designed to work in Through Hole, as well as the I-Pak Supplier Device Package, the device can also be used as MOSFET N-Channel, Metal Oxide FET Type. In addition, the Power Max is 30W, the device is offered in 30V Drain to Source Voltage Vdss, the device has a 320pF @ 25V of Input Capacitance Ciss Vds, and FET Feature is Standard, and the Current Continuous Drain Id 25°C is 17A (Tc), and Rds On Max Id Vgs is 50 mOhm @ 8.5A, 10V, and the Vgs th Max Id is 2.2V @ 250μA, and Gate Charge Qg Vgs is 6.5nC @ 5V.

STD17NF03L--1 with circuit diagram manufactured by ST. The STD17NF03L--1 is available in TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB Package, is part of the IC Chips, , and with support for MOSFET N-CH 30V 17A IPAK.

Features

STripFET™ II Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
30 V Drain to Source Voltage (Vdss)
17A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
50mOhm @ 8.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
6.5 nC @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±16V Vgs (Max)
320 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
30W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
DPAK Supplier Device Package
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: STripFET™ II
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 17A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 50 мОм @ 8,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 6,5 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±16V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 320 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 30 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: DPAK
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z