Свяжитесь с нами
pусский
STD1NK80ZT4

ST STD1NK80ZT4

N-канальный800 V1A (Tc)4,5 В @ 50 мкА45 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
STMicroelectronics
STD1NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
STD1NK80ZT4 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽23.15

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

STD1NK80 with pin details manufactured by ST. The STD1NK80 is available in TO-252 Package, is part of the FETs - Single.

The STD1NK80Z-1 is MOSFET N-CH 800V 1A IPAK manufactured by ST. The STD1NK80Z-1 is available in TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 800V 1A IPAK, N-Channel 800V 1A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-Pak, Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube, MOSFET N-Ch, 800V-13ohms 1A.

Features

SuperMESH™ Series


  • 800V, 1A N-channel Zener protected SuperMESH? MOSFET in 3 pins DPAK package

  • Extremely high dv/dt capability

  • Improved ESD capability

  • 100% avalanche tested

  • New high voltage benchmark

  • Gate charge minimized

  • Extreme optimization of ST's well-established strip-based PowerMESH? layout

  • Suitable for AC adapters, battery chargers, and SMPS



DPAK Supplier Device Package

Applications


  • AC adapters

  • Battery chargers 

  • SMPS

  • Personal computer

  • Mobile phone chargers


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: SuperMESH™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 1A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 16 Ом @ 500 мА, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 50 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 7,7 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 160 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 45 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: DPAK
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z